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HXY4612S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY4612S product

HXY4612S

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalSOP-8

Der HXY4612S ist ein dualer N+P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Kabelloses Laden
  • Bürstenlose Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von mehr als 2W erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
60V / -60V
ID
5A / -4A
RDS(ON)
70mΩ / 140mΩ
Gehäuse
SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

07556d1c26f2b4246f306550fc40f0f6_2405231455_HXY-MOSFET-HXY4612S_C3033414.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY4612S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N+P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET in Trench-Technologie, untergebracht in einem SOP-8-Gehäuse.