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HXY4614S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY4614S product

HXY4614S

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN+P-KanalSOP-8

Der HXY4614S ist ein dualer N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,67 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
40V / -40V
ID
7,2A / -6,5A
RDS(ON)
<26mΩ / <44mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

bdd36285f1ad7c9767030fdcc263fd11_2206222045_HXY-MOSFET-HXY4614S_C3033413.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY4614S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N+P-Kanal-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.