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HXY50N03DF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY50N03DF product

HXY50N03DF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der HXY50N03DF ist ein 30V N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Schalten und Batterieschutz in einem kompakten DFN3X3-8L-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Niederspannungs-DC-Schaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Spannungsfestigkeit über 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei 35A Dauerstrom

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
35 A
RDS(on)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

5213d81d96175bd5b7202efaa543cac4_2212160808_HXY-MOSFET-HXY50N03DF_C3033446.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY50N03DF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für effizientes Schalten ausgelegt ist.