ProjektePreiseInsights

HXY50N06D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY50N06D product

HXY50N06D

MOSFETs

MOSFETN-Kanal60VLeistung

Der HXY50N06D ist ein 60V, 50A N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Schalten und Batterieschutz ausgelegt ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Schwellenspannungen unter 1,2V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei Anwendungen mit hohem Strom

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
50 A
RDS(ON)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY50N06D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie mit einer Nennspannung von 60V und einem Strom von 50A.