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HXY50P03NF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY50P03NF product

HXY50P03NF

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der HXY50P03NF ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET, der für anspruchsvolle Stromversorgungs- und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-50 A
RDS(ON)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

1028d1a2867f491e8390d32a248e3350_2206222045_HXY-MOSFET-HXY50P03NF_C3033457.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY50P03NF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.