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HXY5N10AI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY5N10AI product

HXY5N10AI

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-23

Der HXY5N10AI ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung wie Batterieschutz und Lastschaltung optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 3,1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen im SOT-23-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
5 A
RDS(on)
125 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

041b42cab2847f17f7bcd38462e3da1f_2212160808_HXY-MOSFET-HXY5N10AI_C3033404.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY5N10AI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 100V.