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HXY70P03D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY70P03D product

HXY70P03D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der HXY70P03D ist ein P-Kanal-MOSFET für hohe Ströme, der für Leistungsschaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-70 A
RDS(on)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY70P03D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet, um einen niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten zu ermöglichen.