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HXY7N65F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY7N65F product

HXY7N65F

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal650VLeistung

Der HXY7N65F ist ein 650V, 7A N-Kanal-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, ideal für Schaltnetzteile und Ladegeräte.

Ideal für

  • Netzteile
  • Ladegeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigem RDS(on) oder SMD-Anforderungen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Spannungspegel.

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
7 A
RDS(on)
1.4 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

6e37ae2f7bb0b41cc413cf0c453a6a33_2306211552_HXY-MOSFET-HXY7N65F_C6851448.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY7N65F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schaltanwendungen.