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HXY80N06D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY80N06D product

HXY80N06D

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60V80A

Der HXY80N06D ist ein 60V, 80A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladungen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
80 A
RDS(ON)
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

1217fbd234c7e1352e20c51c5104f93a_2212160808_HXY-MOSFET-HXY80N06D_C3033432.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY80N06D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, ausgelegt für 60V und 80A.