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HXY8205ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HXY8205ES product

HXY8205ES

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal20VTSSOP-8

Der HXY8205ES ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TSSOP-8-Gehäuse, optimiert für 20V, 6A Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 20V
  • Hochstromanwendungen über 6A kontinuierlich

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(ON)
< 27 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

073e0f27f2c14f5a3883eb173be53efe_2209201730_HXY-MOSFET-HXY8205ES_C5148648.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HXY8205ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HXY8205ES ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Anwendungen mit hoher Zelldichte und geringer Leistung entwickelt wurde.