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HY12P03C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY12P03C2 product

HY12P03C2

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal30VLeistung

Der HY12P03C2 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit -30V und -50A im PPAK5*6-8L-Gehäuse, optimiert für DC-DC-Wandler und Elektrowerkzeuge.

Ideal für

  • DC-DC-Stromversorgungssysteme
  • Elektrowerkzeuge

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Systeme über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
-30 V
ID
-50 A
RDS(on)
10,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

a17f92e7fa37854115f89845e64a7802_1912111437_HUAYI-HY12P03C2_C358006.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY12P03C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hochfrequente Schaltanwendungen.