ProjektePreiseInsights

HY1503C1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY1503C1 product

HY1503C1

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V34A

Der HY1503C1 ist ein N-Kanal-MOSFET im DFN3*3-8L-Gehäuse mit 30V und 34A, der für Schaltanwendungen, DC/DC-Wandler und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutzschaltungen
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
34 A
RDS(ON)
7,1 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

cb67960302bd2179d4275f4b4e509ad4_1912111437_HUAYI-HY1503C1_C358109.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY1503C1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Leistungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.