HY1707P Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUAYI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HY1707P product

Der HY1707P ist ein N-Kanal-MOSFET mit 70V und 80A im TO-220FB-3L-Gehäuse, der für Leistungsmanagement und Wechselrichteranwendungen geeignet ist.

Ideal für

Leistungsmanagement
Wechselrichtersysteme

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die SMD-Gehäuse ohne Modifikation erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss: 70 V
Id: 80 A
RDS(on): 6 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungsmanagementWechselrichtersysteme

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY1707P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY1707P ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochstrom-Schaltanwendungen.