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HY1904C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY1904C2 product

HY1904C2

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal40VLeistung

Der HY1904C2 ist ein 40V, 65A N-Kanal-MOSFET im PDFN5x6-8L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandler und Motoranwendungen.

Ideal für

  • Synchron-Abwärtswandler
  • Elektrowerkzeuge
  • DC-DC-Stromversorgungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von mehr als 40V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
40 V
Dauerstrom
65 A
RDS(on) (typ)
5,1 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY1904C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY1904C2 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen.