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HY1906B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY1906B product

HY1906B

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60V120A

Der HY1906B ist ein 60V, 120A N-Kanal-MOSFET im TO-263-2L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Energiemanagement und Wechselrichteranwendungen.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Logikpegel-Schaltung ohne Gate-Treiber erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
120 A
RDS(on)
6,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

WechselrichtersystemeEnergiemanagement

Datenblatt

2594290746ffb52e2c44948eaca30884_2304140030_HUAYI-HY1906B_C330379.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY1906B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY1906B ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI, ausgelegt für 60V und 120A, konzipiert für robustes Energiemanagement.