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HY1908D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY1908D product

HY1908D

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET80VLeistungsmanagement

Der HY1908D ist ein 80V, 90A N-Kanal-MOSFET, der für Leistungsmanagement und Wechselrichteranwendungen optimiert ist und einen niedrigen Einschaltwiderstand bietet.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Leistungsmanagementschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder extrem hohe Schaltfrequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gehäuse-Footprint

Wichtige Specs

VDSS
80 V
ID
90 A
RDS(ON)
7,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsmanagementWechselrichtersysteme

Datenblatt

3bb8e550b7d0b5b81270ea7ff0258f30_1809071509_HUAYI-HY1908D_C108891.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY1908D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY1908D ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI, der für hocheffiziente Schaltanwendungen und Wechselrichtersysteme entwickelt wurde.