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HY1920W KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY1920W product

HY1920W

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistung

Der HY1920W ist ein robuster 200V, 90A N-Kanal-MOSFET im TO-247-3L-Gehäuse, der für Hochleistungs-Wechselrichter und Energiemanagementanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
90 A
RDS(on)
23 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

WechselrichtersystemeEnergiemanagement

Datenblatt

0bbbe8d5d831bb339cdc3e329a2758ba_1912111437_HUAYI-HY1920W_C358133.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY1920W laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY1920W ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen.