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HY19P03B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY19P03B product

HY19P03B

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V90A

Der HY19P03B ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET, der für Power-Management- und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Anwendungen mit geringer Leistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDSS
-30 V
ID
-90 A
RDS(on)
4.7 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Power ManagementIndustrielle Schaltungen

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY19P03B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Huayi Microelectronics mit einer Nennspannung von -30V und einem Strom von -90A.