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HY3010D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY3010D product

HY3010D

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V60A

Der HY3010D ist ein 100V, 60A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batteriebetriebene Systeme
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung
  • Hochfrequenzschaltungen, bei denen geringere Kapazitäten kritisch sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
60 A
RDS(on)
10 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

8a17b23e2d34a0b6fac74316ad993c6a_2109202030_HUAYI-HY3010D_C2897491.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY3010D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY3010D ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Huayi Microelectronics mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 100V und einem Dauerstrom von 60A.