HY3215B Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Huayi Microelectronics Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HY3215B product

Der HY3215B ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET für 150V und 120A, optimiert für effiziente Schalt- und Wechselrichteranwendungen.

Ideal für

Wechselrichtersysteme
Hochleistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Niederspannungs-Logikpegel-Anwendungen

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Treiberspannung

Wichtige Specs

VDSS: 150 V
ID: 120 A
RDS(on): 12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungWechselrichtersysteme

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY3215B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY3215B ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI, der für Hochspannungs- und Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde.