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HY3312B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY3312B product

HY3312B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal125V130A

Der HY3312B ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET für Schaltanwendungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Anwendungen mit geringer Leistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Vdss
125 V
Id
130 A
Rds(on)
7.7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementSchaltanwendungen

Datenblatt

ce11afcb17f199df367596010e1604f3_1912111437_HUAYI-HY3312B_C357988.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY3312B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY3312B ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 125V und einem Strom von 130A.