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HY3712P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY3712P product

HY3712P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal125V170A

Der HY3712P ist ein 125V, 170A N-Kanal-MOSFET im TO-220FB-3L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen und Wechselrichter.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Hochstrom-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Platzangebot oder niedriger Leistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
125 V
Id
170 A
Rds(on)
6,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementWechselrichter

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY3712P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY3712P ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET von HUAYI, ausgelegt für 125V und 170A, ideal für Leistungsschaltanwendungen.