HY3810P Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUAYI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HY3810P product

Der HY3810P ist ein robuster 100V, 180A N-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungsschalt- und Wechselrichteranwendungen geeignet ist.

Ideal für

Wechselrichtersysteme
Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss: 100 V
Id: 180 A
Rds(on): 5,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementWechselrichtersysteme

Datenblatt

87f8ee0bfa9fb27fc68323313f73c2b4_2304140030_HUAYI-HY3810P_C357981.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY3810P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY3810P ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI mit einer Nennspannung von 100V und einem Strom von 180A.