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HY5110NA2W KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY5110NA2W product

HY5110NA2W

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V295A

Der HY5110NA2W ist ein N-Kanal-MOSFET für hohe Ströme im TO-247A-3L-Gehäuse, der für Leistungsschaltanwendungen und Batteriemanagementsysteme optimiert ist.

Ideal für

  • Hochleistungsschaltung
  • BMS

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
295 A
RDS(on)
2.4 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungBMS

Datenblatt

173051e32bc5758b996121524d5dc53c_2106081402_HUAYI-HY5110NA2W_C2837479.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY5110NA2W laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V, 295A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET.