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HY5208W KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HY5208W product

HY5208W

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80VLeistung

Der HY5208W ist ein N-Kanal-MOSFET für hohe Ströme, optimiert für Wechselrichteranwendungen.

Ideal für

  • Leistungswechselrichter
  • Hochstromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Spitzenstrom des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDSS
80 V
ID
320 A
RDS(on)
1,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswechselrichter

Datenblatt

35c723ba7603a1062ff45634c59fd4aa_1811151155_HUAYI-HY5208W_C330384.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HY5208W laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HY5208W ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochleistungsanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 80V und einem Dauerstrom von 320A.