ProjektePreiseInsights

HYG006N04LS1B6 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG006N04LS1B6 product

HYG006N04LS1B6

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal40V530A

Der HYG006N04LS1B6 ist ein N-Kanal-MOSFET für hohe Ströme im TO-263-6L-Gehäuse, optimiert für Lastschalter und Batterieschutz.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Lithium-Batterieschutz

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 40V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDSS
40 V
ID
530 A
RDS(ON)
0,55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

9d2a22f9cad3fbfd3cf711e9d9b50489_2207111030_HUAYI-HYG006N04LS1B6_C4555912.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG006N04LS1B6 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der speziell für Anwendungen mit hohen Strömen wie Lastschalter und Batterieschutzschaltungen entwickelt wurde.