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HYG006N04LS1TA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG006N04LS1TA product

HYG006N04LS1TA

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal40V600ATOLL

Der HYG006N04LS1TA ist ein leistungsstarker 40V, 600A N-Kanal-MOSFET im TOLL-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • Hochstrom-Schaltanwendungen
  • Wechselrichter-Energiemanagement
  • Batteriemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch oder begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
40 V
Dauerstrom
600 A
RDS(ON) (10V)
0,45 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

ee508a8660fb15bef04c63f4982465cb_2203221030_HUAYI-HYG006N04LS1TA_C2982928.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG006N04LS1TA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochstromanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 40V und einem Dauerstrom von 600A.