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HYG009N04LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG009N04LS1C2 product

HYG009N04LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V200A

Der HYG009N04LS1C2 ist ein leistungsstarker 40V, 200A N-Kanal-MOSFET für Hochstrom-Schaltanwendungen und Energiemanagement.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutzschaltungen
  • Hochstromschalten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine sehr niedrige Gate-Ladung oder extrem hohe Schaltfrequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität des Leiterplattenlayouts

Wichtige Specs

VDSS
40 V
ID
200 A
RDS(ON)
0,75 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

8a185e2be06205dc74803ebe6cef612c_2109192230_HUAYI-HYG009N04LS1C2_C2890387.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG009N04LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist.