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HYG011N04LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG011N04LS1C2 product

HYG011N04LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V165A

Der HYG011N04LS1C2 ist ein leistungsstarker 40V, 165A N-Kanal-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, optimiert für Energiemanagement und Batterieschutz.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutzschaltungen
  • Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladung oder andere Gehäuseformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei 165A Betrieb

Wichtige Specs

Vdss
40 V
Id
165 A
RDS(on)
1,1 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

627eaf8899a57e70be5d3f3e41d5d792_HUAYI(华羿微)&HYG011N04LS1C2.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG011N04LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffizientes Schalten und Schutzschaltungen.