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HYG013N03LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG013N03LS1C2 product

HYG013N03LS1C2

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der HYG013N03LS1C2 ist ein 30V, 230A N-Kanal-MOSFET, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Li-Batterieschutz
  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen deutlich über 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazitäten des Leiterplattenlayouts

Wichtige Specs

VDSS
30 V
ID
230 A
RDS(ON)
1,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

078120dd06ae6cf3b1422361b2a5b9d9_2106061838_HUAYI-HYG013N03LS1C2_C2763405.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG013N03LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-MOSFET von HUAYI, der für effiziente Leistungsschalt- und Schutzschaltungen entwickelt wurde.