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HYG015N03LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG015N03LS1C2 product

HYG015N03LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V130A

Der HYG015N03LS1C2 ist ein 30V, 130A N-Kanal-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • DC/DC-Energiemanagement
  • Hochstromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchbruchspannung von mehr als 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
130 A
RDS(on)
1,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

05dc23a9fbae58919d3611f1923c7079_2310131105_HUAYI-HYG015N03LS1C2_C18222234.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG015N03LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Strombelastbarkeit.