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HYG015N04LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG015N04LS1C2 product

HYG015N04LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V150A

Der HYG015N04LS1C2 ist ein leistungsstarker 40V, 150A N-Kanal-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, optimiert für Energiemanagement und Batterieschutz.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutz
  • Hochstromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen ein kleineres Gehäuse erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsfähigkeiten der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
150 A
RDS(on)
1,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

cb52ca084e6d562bdabf14143be9b731_2108150330_HUAYI-HYG015N04LS1C2_C2874970.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG015N04LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffiziente Schalt- und Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde.