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HYG015N10NS1TA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG015N10NS1TA product

HYG015N10NS1TA

MOSFETs - Single

MOSFET100V380ATOLL

Der HYG015N10NS1TA ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im TOLL-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batteriemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Hochleistungs-Wechselrichter
  • Batteriemanagementsysteme
  • Industrielle Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr begrenztem Platz, bei denen das TOLL-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung der Leiterplatte
  • Spitzenstromfähigkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
380 A
RDS(on)
1,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

d6b41cd2cd8d957f6494877a56fe96f3_2203031730_HUAYI-HYG015N10NS1TA_C2979263.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG015N10NS1TA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V, 380A N-Kanal-MOSFET von HUAYI für Hochleistungsanwendungen.