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HYG017N04LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG017N04LS1C2 product

HYG017N04LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V135A

Der HYG017N04LS1C2 ist ein leistungsstarker 40V, 135A N-Kanal-MOSFET im kompakten PDFN5*6-8L-Gehäuse, ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Batterieschutzschaltungen
  • Hochstromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder andere Gehäuseformen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für den 135A-Betrieb.

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
135 A
RDS(on)
1,7 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

82644c88ded33623f683eebd1bcdf50d_2202131930_HUAYI-HYG017N04LS1C2_C2837481.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG017N04LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 40V und einem Dauerstrom von 135A.