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HYG017N10NS1TA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG017N10NS1TA product

HYG017N10NS1TA

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTOLL

Der HYG017N10NS1TA ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im TOLL-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Batteriemanagement
  • Hochstromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Strombedarf, bei denen der TOLL-Footprint zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
330 A
Rds(on)
1,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatteriemanagement

Datenblatt

ba73326d47fc06cf169bee613488c049_2210191800_HUAYI-HYG017N10NS1TA_C5205219.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG017N10NS1TA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für 100V und 330A, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen ausgelegt ist.