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HYG019N06LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG019N06LS1C2 product

HYG019N06LS1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VHochstrom

Der HYG019N06LS1C2 ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-MOSFET für Hochstrom-Anwendungen.

Ideal für

  • Synchron-Abwärtswandler
  • Elektrowerkzeuge
  • DC-DC-Netzwerksysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringem Platzbedarf.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung des Leiterplattenlayouts.

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
210 A
Rds(on)
1,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrielle Werkzeuge

Datenblatt

7733b3076883490682b0e8593bcea8c7_2307041416_HUAYI-HYG019N06LS1C2_C7436878.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG019N06LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochfrequenz-Leistungswandler.