HYG020N04NR1B Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUAYI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HYG020N04NR1B product

Der HYG020N04NR1B ist ein 40V, 220A N-Kanal-MOSFET im TO-263-2L-Gehäuse, der für Hochstromschaltungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

Batterieschutz
Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Platzkritische Anwendungen mit geringer Leistung

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss: 40 V
Id: 220 A
Rds(on): 1,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG020N04NR1B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Strombelastbarkeit für das Energiemanagement.