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HYG022N10NS1TA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG022N10NS1TA product

HYG022N10NS1TA

MOSFETs - Single

100V MOSFETHoher StromTOLL Gehäuse

Der HYG022N10NS1TA ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im TOLL-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batteriemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Wechselrichtersysteme
  • Batteriemanagement
  • Hochleistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch oder begrenztem Platzangebot

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsfähigkeit der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
249 A
RDS(on)
2,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

8eb61394d4880d1b87b62eba41952103_2111291830_HUAYI-HYG022N10NS1TA_C2925050.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG022N10NS1TA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Nennspannung von 100V und 249A, der für industrielle Hochleistungsanwendungen und Batteriemanagement entwickelt wurde.