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HYG024N03LR1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG024N03LR1D product

HYG024N03LR1D

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30V100A

Der HYG024N03LR1D ist ein 30V, 100A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladungen oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
100 A
RDS(on) (typ)
2.3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

c022c73a17623e4c598bbc29e2a6d458_2108261730_HUAYI-HYG024N03LR1D_C2888332.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG024N03LR1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI mit einer Spannungsfestigkeit von 30V und einem Strom von 100A.