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HYG025N04NA1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG025N04NA1C2 product

HYG025N04NA1C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V190A

Der HYG025N04NA1C2 ist ein leistungsstarker 40V, 190A N-Kanal-MOSFET im PDFN8L(5x6)-Gehäuse, optimiert für Hochstromschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Hochstrom-Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Strombedarf, bei denen kompaktere Gehäuse bevorzugt werden

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
40V
Id
190A
Rds(on)
1.4mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

9ba923323f0ce0671254355c3fb16242_2111161830_HUAYI-HYG025N04NA1C2_C2917677.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG025N04NA1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von HUAYI, der für effizientes Schalten von hohen Strömen entwickelt wurde.