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HYG025N04NR1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG025N04NR1D product

HYG025N04NR1D

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40V157A

Der HYG025N04NR1D ist ein 40V, 157A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Lastschalt- und Batterieschutzanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Hochstrom-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Designs, die kleinere Gehäuse als TO-252 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kühlung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
40 V
Dauerstrom
157 A
RDS(on)
2.4 mΩ (max)

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

da1975244784b0398635683d1aed5aee_2311271014_HUAYI-HYG025N04NR1D_C19268962.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG025N04NR1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Strombelastbarkeit.