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HYG025N06LS1C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG025N06LS1C2 product

HYG025N06LS1C2

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistung

Der HYG025N06LS1C2 ist ein leistungsstarker 60V, 170A N-Kanal-MOSFET im PDFN8L-Gehäuse, ideal für hocheffiziente Stromwandler.

Ideal für

  • Synchronwandler
  • Elektrowerkzeuge
  • DC-DC-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder sehr kleine Gehäuse unter 5x6mm erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsfähigkeit der Ziel-Leiterplatte.

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
170 A
RDS(on)
2,1 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustriewerkzeuge

Datenblatt

084775bc0504dc108212ccb1665d2e4d_2105242011_HUAYI-HYG025N06LS1C2_C2827231.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG025N06LS1C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus für Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen.