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HYG025N06LS1D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG025N06LS1D product

HYG025N06LS1D

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60V160A

Der HYG025N06LS1D ist ein leistungsstarker 60V, 160A N-Kanal-MOSFET, der für Hochfrequenz-Leistungswandler und Elektrowerkzeuge optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Elektrowerkzeuge
  • DC-DC-Stromversorgungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen ein kleineres Gehäuse erforderlich ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Stromlasten.

Wichtige Specs

VDSS
60 V
ID
160 A
RDS(ON)
2,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG025N06LS1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 160A.