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HYG028N10NS1B6 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG028N10NS1B6 product

HYG028N10NS1B6

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100V230A

Der HYG028N10NS1B6 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im TO-263-6L-Gehäuse, ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Hochstrom-Schaltanwendungen
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch oder begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
230 A
Rds(on)
2.4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungMotorsteuerung

Datenblatt

2160bf6278cfe8223f61778da76cf15e_2108182030_HUAYI-HYG028N10NS1B6_C2886383.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG028N10NS1B6 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 230A.