HYG030N03LQ1D Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUAYI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HYG030N03LQ1D product

Der HYG030N03LQ1D ist ein 30V, 100A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für Hochstromanwendungen wie Batterieschutz und Motorsteuerungen optimiert ist.

Ideal für

Batteriemanagementsysteme
Gleichstrommotorsteuerung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr bei 100A Last

Wichtige Specs

Vdss: 30 V
Id: 100 A
Rds(on): 2,5 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: 1
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

BatterieschutzMotorantriebe

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG030N03LQ1D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauerstrom von 100A.