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HYG030N03LQ1P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG030N03LQ1P product

HYG030N03LQ1P

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V100A

Der HYG030N03LQ1P ist ein 30V, 100A N-Kanal-MOSFET im TO-220FB-3L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Hochstrom-Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei 100A

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
30 V
Dauer-Drainstrom
100 A
RDS(ON) (typ)
2.8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG030N03LQ1P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Huayi Microelectronics mit einer Nennleistung von 30V und 100A.