HYG032N08NS1W Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUAYI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HYG032N08NS1W product

Der HYG032N08NS1W ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 80V und 185A im TO-247A-3L-Gehäuse, optimiert für Leistungsschaltanwendungen und USV-Systeme.

Ideal für

Leistungsschaltung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Vdss: 80 V
Id: 185 A
RDS(on): 2.8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Leistung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG032N08NS1W laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit 80V Drain-Source-Spannung und 185A Dauerstrom.