ProjektePreiseInsights

HYG035N08NS2C2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG035N08NS2C2 product

HYG035N08NS2C2

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET80V105A

Der HYG035N08NS2C2 ist ein leistungsstarker 80V N-Kanal-MOSFET im kompakten PPAK5*6-8L-Gehäuse, ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen und Batteriemanagement.

Ideal für

  • Wechselrichter-Leistungsstufen
  • Batterieschutzschaltungen
  • Hochstrom-DC-Schaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vdss
80 V
Id
105 A
RDS(on)
2.8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

33f98fafd005d6a48c1a74fea8ae0f1d_2205091530_HUAYI-HYG035N08NS2C2_C3011226.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG035N08NS2C2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 80V und einem Dauerstrom von 105A.