ProjektePreiseInsights

HYG035N10NS2P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG035N10NS2P product

HYG035N10NS2P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der HYG035N10NS2P ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET für Hochstrom-Anwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Platzbedarf, bei denen das TO-220-Gehäuse zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDSS
100 V
ID
180 A
RDS(ON)
3,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungMotorsteuerung

Datenblatt

59c011a1f87e87293800ab5c0f1f522f_2211011730_HUAYI-HYG035N10NS2P_C2986718.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG035N10NS2P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Dauerstrom von 180A.