ProjektePreiseInsights

HYG042N10NS1B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HYG042N10NS1B product

HYG042N10NS1B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V160A

Der HYG042N10NS1B ist ein leistungsstarker 100V, 160A N-Kanal-MOSFET, der für Schaltnetzteile und DC-DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen kompaktere Gehäuse erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung und Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
160 A
RDS(on)
3,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungDC-DC-Wandler

Datenblatt

b374b00ab59a007de19093e3ddf248b3_2106081402_HUAYI-HYG042N10NS1B_C2837371.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HYG042N10NS1B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Huayi Microelectronics mit einer Nennspannung von 100V und einem Nennstrom von 160A.